獲得最佳拋光效果
我們在製造拋光設備和拋光條件方面反複試驗和錯誤。
我們將提出最合適的拋光液，以滿足所有材料和所需的規格和精度。
決定漿液的四大因素
| 解決方案 | ・ 水性 ・ 油性 |
|---|---|
| 種類 | ・ 多晶 ・ 單晶 |
| 粒度 | 因磨料而異 （請查看下面的平均粒徑列表） |
| 濃度 | 適合客戶需求的濃度 |
漿料零件編號清單
磨料
我們也只處理研磨材料。
我們將選擇滿足您需求的磨料類型和粒度。
我們將選擇滿足您需求的磨料類型和粒度。
[鑽石]
| 粒徑指定 | 平均粒徑 (μM) | |
|---|---|---|
| 1/20 | 0-0.10 | 0.05 |
| 1/10 | 0-0.20 | 0.075 |
| 1/8 | 0-0.25 | 0.155 |
| 1/4 | 0-0.5 | 0.375 |
| 1/2 | 0-1 | 0.6 |
| 1.0 1.0 | 0-2 | 1.00 |
| 1.5 1.5 | 0-3 | 1.60 |
| 2.0 2.0 | 0-3 | 1.60 |
| 3.0 3.0 | 2-4 | 3.00 |
| 4.0 4.0 | 2-6 | 4.20 |
| 5.0 5.0 | 4-6 | 5.30 |
| 6.0 6.0 | 4-8 | 6.30 |
| 9.0 9.0 | 6-12 | 9.00 |
[氧化鋁、鈰、二氧化矽]
| 平均粒徑 (M) | ||
|---|---|---|
| 氧化鋁 | 鈰 | 二氧化矽 |
| 0.1 | 1.0 1.0 | 0.010 |
| 0.2 0.2 | 1.2 1.2 | 0.012 |
| 0.5 | 1.5 1.5 | 0.015 |
| 0.7 | 2.0 2.0 | 0.030 |
| 1.0 1.0 | 0.040 | |
| 1.2 1.2 | ||
| 2.0 2.0 | ||
| 3.0 3.0 | ||
| 4.0 4.0 | ||
| 5.5 5.5 | ||
| 7.0 7.0 | ||
| 12 | ||
| 14 | ||
| 20 | ||
| 30 | ||
| 40 | ||
| 48 | ||
| 57 57 | ||
單晶碳化矽耗材
正在開發新概念 磨粒加工測試。
這些磨粒的使用旨在取代CMP之前的“金剛石拋光”。
例如，由於只用這些磨粒就可以從梨地磨出這種程度的光澤，我們相信這將解決由金剛石磨粒引起的潛在划痕問題。
並且通過“使用硬拋光機”這一最重要的特點，晶片表面的平整度不是墊拋光的比率，而是完成為平整的平面而不會導致邊緣下垂。即使使用硬質拋光板也不會出現划痕。
該單晶SiC用漿料不含燒結SiC所含的金剛石。與多晶材料不同，單晶材料不會產生台階，因此我們目前正在將它們定制為不含金剛石的漿料。
對於多晶體，我們對其進行了設計，使其可以通過混合金剛石來表現出平整度（光滑度），如另一頁中介紹的那樣。
這些磨粒的使用旨在取代CMP之前的“金剛石拋光”。
例如，由於只用這些磨粒就可以從梨地磨出這種程度的光澤，我們相信這將解決由金剛石磨粒引起的潛在划痕問題。
並且通過“使用硬拋光機”這一最重要的特點，晶片表面的平整度不是墊拋光的比率，而是完成為平整的平面而不會導致邊緣下垂。即使使用硬質拋光板也不會出現划痕。
該單晶SiC用漿料不含燒結SiC所含的金剛石。與多晶材料不同，單晶材料不會產生台階，因此我們目前正在將它們定制為不含金剛石的漿料。
對於多晶體，我們對其進行了設計，使其可以通過混合金剛石來表現出平整度（光滑度），如另一頁中介紹的那樣。
